mos管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)

1.選用合適mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么的輸入電壓規(guī)格;

2.選擇合適的功率。為mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么了使電源的壽命增長(zhǎng)mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么，建議選用多30%輸出功率額定的機(jī)種 。例如若系統(tǒng)需要一個(gè)100W的電源 ，則建議挑選大于130W輸出功率額定的機(jī)種
，以此類(lèi)推可有效提升電源的壽命
。

3.考慮負(fù)載特性。如果負(fù)載是馬達(dá) 、燈泡或電容性負(fù)載，當(dāng)開(kāi)機(jī)瞬間時(shí)電流較大 ，應(yīng)選用合適電源以免過(guò)載 。如果負(fù)載是馬達(dá)時(shí)應(yīng)考慮停機(jī)時(shí)電壓倒灌
。

4.此外尚需考慮電源的工作環(huán)境溫度
，及有無(wú)額外的輔助散熱設(shè)備，在過(guò)高的環(huán)溫電源需減額輸出。環(huán)溫對(duì)輸出功率的減額曲線

5.根據(jù)應(yīng)用所需選擇各項(xiàng)功能mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么： 保護(hù)功能mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么：過(guò)電壓保護(hù)（OVP）
、過(guò)溫度保護(hù)（OAH ）、過(guò)負(fù)載保護(hù)（OLP）等 。 應(yīng)用功能：信號(hào)功能（供電正常 、供電失效）
、遙控功能、遙測(cè)功能 、并聯(lián)功能等
。 特殊功能 ： 功因矯正 （PFC） 
、不斷電 （UPS）

6.選擇所需符合的安規(guī)及電磁兼容 （EMC） 認(rèn)證。

開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù) ，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率
，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（AH M）控制IC和MOSFET構(gòu)成 。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新 ，使得開(kāi)關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。

場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么，英文縮寫(xiě)為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么
，屬于絕緣柵型
。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管 ，符號(hào)如圖1所示 。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起
。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同
，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么：當(dāng)VAH =0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VAH 后 ，多數(shù)載流子被吸引到柵極
，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道 。耗盡型則是指 ，當(dāng)VAH =0時(shí)即形成溝道
，加上正確的VAH 時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道 ，因而“耗盡 ”了載流子
，使管子轉(zhuǎn)向截止
。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+ ，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位 。圖1（a）符號(hào)中的前頭方向是從外向電
，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道
。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VAH =0時(shí) ，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VAH 逐漸升高
，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子 ，形成從漏極到源極的N型溝道
，當(dāng)VAH 大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通 ，形成漏極電流ID 。

國(guó)產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1 、3DO2、3DO4（以上均為單柵管）
，4DO1（雙柵管）
。它們的管腳排列（底視圖）見(jiàn)圖2。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣
” 。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小 ，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電
，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起 ，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位
，防止積累靜電荷
。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心 ，并采取相應(yīng)的防靜電感措施 。下面介紹檢測(cè)方法
。

1．準(zhǔn)備工作

測(cè)量之前
，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通 ，使人體與大地保持等電位 。再把管腳分開(kāi)
，然后拆掉導(dǎo)線
。

2．判定電極

將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)窮大 ，證明此腳就是柵極G 。交換表筆重測(cè)量
，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次 ，黑表筆接的為D極
，紅表筆接的是S極
。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通 ，據(jù)此很容易確定S極。

3．檢查放大能力（跨導(dǎo)）

將G極懸空，黑表筆接D極
，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極 ，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn) 。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1
、G2
。為區(qū)分之
，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。

目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管 ，平時(shí)就不需要把各管腳短路了 。

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管
，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效 、功率開(kāi)關(guān)器件
。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）
、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5a～100A） 、輸出功率高（1～250W）
、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身 ，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍） 、功率放大器
、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用 。

眾所周知
，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)
。VMOS管則不同 ，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一
，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出 ，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)
，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D 。電流方向如圖中箭頭所示 ，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大
，所以能通過(guò)大電流
。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠 、天津半導(dǎo)體器件四廠
、杭州電子管廠等 ，典型產(chǎn)品有VN401、VN672 、VMAH 2等 。表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)
。其中
，IRFPC50的外型如圖3所示。

下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法 。

1．判定柵極G

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻
。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大 ，則證明此腳為G極
，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié) ，因此根據(jù)PN結(jié)正
、反向電阻存在差異
，可識(shí)別S極與D極 。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻 ，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路
，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極 ，紅表筆接D極
，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐
。

由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管 ，RDS（on）=3.2W
，大于0.58W（典型值） 。

4．檢查跨導(dǎo)

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極 ，黑表筆接D極
，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn) ，偏轉(zhuǎn)愈大
，管子的跨導(dǎo)愈高
。

注意事項(xiàng)：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管 ，測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置 。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用
。

（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊
，專(zhuān)供交流電機(jī)調(diào)速器 、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道
、P溝道管各三只 ，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu) 。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品
，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管，其最高工作頻率fp=120MHz ，IDSM=1A
，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS
。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。

（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例 ，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后
，最大功率才能達(dá)到30W

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 ，具有輸入電阻高（108～109Ω） 、噪聲小
、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象 、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者
。

場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型
、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名 。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中 ，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管
，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管 、VMOS功率模塊等。

按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種
。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分 ，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型
，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的 。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)附圖1 。

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)
。

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類(lèi) ，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿
，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：

1. MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝 。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起 ，或用錫紙包裝

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)
，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件
。

3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

4. 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開(kāi) 。

5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極
、源極、柵極
。拆機(jī)時(shí)順序相反。

6.電路板在裝機(jī)之前 ，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子
，再把電路板接上去 。

7. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞
。

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試。

下面以常用的3DJ型N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例解釋其測(cè)試方法：

3DJ型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可看作一只NPN型的晶體三極管 ，柵極G對(duì)應(yīng)基極b，漏極D對(duì)應(yīng)集電極c
，源極S對(duì)應(yīng)發(fā)射極e 。所以只要像測(cè)量晶體三極管那樣測(cè)PN結(jié)的正 、反向電阻既可
。把萬(wàn)用表?yè)茉赗*100擋用黑表筆接場(chǎng)效應(yīng)管其中一個(gè)電極，紅表筆分別接另外兩極 ，當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)
，黑表筆接的就是場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極 。對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可以互換
。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 ，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

目前常用的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的管腳順序如圖2所示 。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的好壞的判斷
。

先用MF10型萬(wàn)用表R*100KΩ擋（內(nèi)置有15V電池）
，把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電 ，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn) 。再該用萬(wàn)用表R*1Ω擋
，將負(fù)表筆接漏極（D），正表筆接源極（S） ，萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆
，則說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管是好的
。

調(diào)試mos電路有哪些注意事項(xiàng)

什么是MOS管?它有什么注意事項(xiàng)?MOS管即MOSFETmos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。與普通的晶體三極管相比mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么 ，具有以下四個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即
，輸入阻抗高
、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好 、電壓控制電流等，MOS管現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者 。

所有MOS集成電路(包括P溝道MOS ，N溝道MOS
，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm
、50nm、80nm三種
。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻 —— 二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù) ，雖然如此
，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出 ，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效
，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。

按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDD GND短路或開(kāi)路 ，器件完全喪失mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么了原有的功能 。稍次一等嚴(yán)重的損害是出現(xiàn)斷續(xù)的失效或者是性能的退化
，那就更難察覺(jué)
。還有一些靜電損害會(huì)使泄漏電流增加導(dǎo)致器件性能變壞。

MOS管的定義

MOS管做為電壓驅(qū)動(dòng)大電流型器件，在電路尤其是動(dòng)力系統(tǒng)中大量應(yīng)用 ，MOS管有一些特性在實(shí)際應(yīng)用中是我們應(yīng)該特別注意的MOS管體二極管，又稱寄生二極管
，在單個(gè)MOS管器件中有，在集成電路光刻中沒(méi)有 ，這個(gè)二極管在大電流驅(qū)動(dòng)中和感性負(fù)載時(shí)可以起到反向保護(hù)和續(xù)流的作用
，一般正向?qū)▔航翟?.7~1V左右 。

因?yàn)檫@個(gè)二極管的存在，MOS器件在電路中不能簡(jiǎn)單地看到一個(gè)開(kāi)關(guān)的作用 ，比如充電電路中
，充電完成，移除電源后 ，電池會(huì)反向向外部供電
，這個(gè)通常是我們不愿意看到的結(jié)果
。

一般解決的方法是在后面增加一個(gè)二極管來(lái)防止反向供電，這樣雖然可以做到 ，但是二極管的特性決定必須有0.6~1V的正向壓降
，在大電流的情況下發(fā)熱嚴(yán)重，同時(shí)造成能源的浪費(fèi) ，使整機(jī)能效低下。還有一個(gè)方法是再增加一個(gè)背靠背的MOS管，利用MOS管低導(dǎo)通電阻來(lái)達(dá)到節(jié)能的目的
，這一特性另一個(gè)常見(jiàn)的應(yīng)用為低壓同步整流 。

注意事項(xiàng)

MOS管導(dǎo)通后的無(wú)方向性，MOS在加壓導(dǎo)通后 ，就類(lèi)似于一根導(dǎo)線
，只具有電阻特性，無(wú)導(dǎo)通壓降 ，通常飽和導(dǎo)通電阻為幾到幾十毫歐
，且無(wú)方向性，允許直流和交流電通過(guò)
。

使用MOS管的注意事項(xiàng)

1)為了安全使用MOS管 ，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

2)各類(lèi)型MOS管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中 ，要遵守MOS管偏置的極性 。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)
，N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等
。

3)MOS管由于輸入阻抗極高 ，所以在運(yùn)輸
、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝
，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內(nèi) ，保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)
，同時(shí)也要注意管的防潮 。

關(guān)于mos管場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么和mos場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用的介紹到此就結(jié)束了，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息 ，記得收藏關(guān)注本站。