請(qǐng)問(wèn)2N60三極管的作用是什么呢 。急
。。 。謝謝

1、2N60是mos管(MOSFET)場(chǎng)效應(yīng)管基本作用和三極管是一樣2N60的。

2 、三極管2N60，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管2N60 ，也稱雙極型晶體管
、晶體三極管
，是一種控制電流2N60的半導(dǎo)體器件·其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)
。晶體三極管 ，是半導(dǎo)體基本元器件之一
，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié) ，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)
，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種 。

2n60c用什么代換

2n60c可以用K26452N60 ，K7192N60
，K794或fqp4n60c2N60，fqp5n60c等代用
。

2n60c三極管是VMOS場(chǎng)效應(yīng)管2N60 ，其漏極電流是2A
，耐壓值是600V。需要替代2N60的時(shí)候考慮到各方面的性能、參數(shù) 、外形尺寸等，只要考慮耐壓
、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的(行輸出管外觀尺寸幾乎相同) ，而且功率往往大一些更好 。對(duì)于MOS管代換雖然也是這一原則
，最好是原型號(hào)的最好，特別是不要追求功率要大一些 ，因?yàn)楣β蚀?
，輸入電容就大，換了后和激勵(lì)電路就不匹配了 ，激勵(lì)灌流電路的充電限流電阻的阻值的大小和MOS管的輸入電容是有關(guān)系的
。

三極管... 2N60 能用13007替換嗎

不能帶，2N60是場(chǎng)效應(yīng)管
，電壓控制型

13007是三極管，電流控制型

驅(qū)動(dòng)電路原理不一樣 ，管子工作點(diǎn)也不一樣

如果是開(kāi)關(guān)電源上用的開(kāi)關(guān)管的話

業(yè)余條件下代用問(wèn)題不大
，但是基極驅(qū)動(dòng)電阻要加大一點(diǎn)，不然驅(qū)動(dòng)IC損耗會(huì)增大 ，長(zhǎng)時(shí)間工作會(huì)燒壞IC
，用場(chǎng)效應(yīng)管的時(shí)候驅(qū)動(dòng)電阻用10-30歐左右，如果換成三極管的話 ，這個(gè)電阻要加大到200歐左右吧

三極管2N60C是什么三極管

是VMOS場(chǎng)效應(yīng)管2N60
，其漏極電流是2A2N60，耐壓值是600V。

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管 。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式 ，但使用最多2N60的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管
。

其中
，N（Negative）是負(fù)極的意思，N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子 ，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P（Positive）是正極的意思
，是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電。

擴(kuò)展資料：

新研究發(fā)現(xiàn) ，在晶體管電子流出端的襯底外
，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，能形成一個(gè)半導(dǎo)體致冷P-N結(jié)構(gòu) ，因?yàn)镹材料的電子能級(jí)低
，P材料的電子能級(jí)高，當(dāng)電子流過(guò)時(shí) ，需要從襯底吸入熱量
，這就為晶體管核心散熱提供一個(gè)很好的途徑 。

因?yàn)閹ё叩臒崃繒?huì)與電流的大小成正比例，業(yè)內(nèi)也稱形象地把這個(gè)稱為“電子血液 ”散熱技術(shù)
。根據(jù)添加新材料的極性位置不同 ，新的致冷三極管分別叫做N-PNP或NPN-P。

參考資料來(lái)源：百度百科-三極管

2N60的介紹就聊到這里吧
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